掌握半導(dǎo)體氣體純度標(biāo)準(zhǔn)
掌握半導(dǎo)體氣體純度標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝氣體等級(jí)劃分主要基于氣體純度等指標(biāo),具體標(biāo)準(zhǔn)如下:
1、大宗氣體:
純度要求:純度在 3n 及以上(1n 表示純度百分比 9 的個(gè)數(shù),3n 即純度達(dá)到
99.9% 上述),氣體中雜質(zhì)含量相對(duì)較高。
應(yīng)用領(lǐng)域:常用于一般半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)環(huán)節(jié),如輔助氣體作為一些非關(guān)鍵工
藝步驟或提供一般氣體環(huán)境。
2、高純氣體:
純度要求:達(dá)到純度 5n 及以上(即 99.999% 以上),氣體中雜質(zhì)含量的控制
更加嚴(yán)格,金屬元素等雜質(zhì)需要凈化到較低的濃度水平。
應(yīng)用領(lǐng)域:適用于大型集成電路的制造,應(yīng)用于一些對(duì)氣體純度要求較高的工
藝環(huán)節(jié)。例如,在半導(dǎo)體材料的沉積和延伸過程中,高純氣體可以保證工藝的
穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。
3、電子氣體(電子特氣):
純度要求:一般要求滿足要求 6n 及以上(即 99.9999% 以上),一些先進(jìn)的工
藝甚至需要更高的純度,可能達(dá)到 ppb(10⁻⁹)甚至 ppt(10⁻12)級(jí)別。
應(yīng)用領(lǐng)域:是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝氣體,廣泛應(yīng)用于光刻、刻蝕、摻雜、氣
相沉積、擴(kuò)散等各種半導(dǎo)體工藝流程的核心工藝環(huán)節(jié)。例如,在刻蝕過程中,
氟基氣體(如 CF₄、SF₆、C₂F₆、NF₃等)、氯基氣體(Cl₂)和溴基氣體(Br₂
、HBr)用于有選擇地去除硅片表面不必要的材料。
簡(jiǎn)而言之,半導(dǎo)體工藝氣體的等級(jí)劃分對(duì)半導(dǎo)體制造的質(zhì)量和性能至關(guān)重要,
不同等級(jí)的氣體在半導(dǎo)體生產(chǎn)的不同環(huán)節(jié)中起著特定的作用。隨著半導(dǎo)體技術(shù)
的不斷發(fā)展,工藝氣體的純度和質(zhì)量要求也在不斷提高。
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