電子集六氟化硫還是一種理想的蝕刻劑，六氟化硫是一種絕緣性極佳的氣體，經(jīng)常被用于高壓滅弧以及變電器、高壓傳輸線、互感器等當(dāng)中。電子級高純六氟化硫做蝕刻劑，被大量應(yīng)用于微電子技術(shù)領(lǐng)域。今天紐瑞德小編就為大家介紹一下六氟化硫在氮化硅蝕刻中的應(yīng)用和不同參數(shù)的影響吧。

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  我們探討SF6電漿蝕刻SiNx製程，包括改變電漿功率、SF6/He的氣體配比并加入陰電性氣體O2，探討其對TFT之元件保護層SiNx的蝕刻速率的影響，并利用電漿放射光譜儀對SF6/He、SF6/He/O2電漿中各物種濃度變化及SF6解離率進行分析，探討SiNx蝕刻速率之變化與電漿物種濃度之關(guān)連性。

  研究發(fā)現(xiàn)，提高電漿功率時，蝕刻速率隨之上升；若增加電漿中SF6的流量，則F原子濃度增加且與蝕刻速率成正相關(guān)。另在總流量固定下添加陰電性氣體O2后，則會產(chǎn)生增加蝕刻速率的效果，但在不同的O2/SF6流量配比下，則會有不同的反應(yīng)機構(gòu)，可分成三部分：

(1)O2/SF6流量配比值很小時，O2可幫助SF6的解離，此時蝕刻速率比未添加O2時為大。

(2)當(dāng)O2/SF6流量配比值大于0.2到趨近于1的區(qū)間時，此時因SF6大量解離形成F原子，故蝕刻速率是最高的；但同時電漿中O原子也在增加且易與SiNx膜面形成SiOx或SiNxO(y-x)，而O原子增加愈多則使F原子愈不易進行蝕刻反應(yīng)，故O2/SF6比值接近1時蝕刻速率開始趨緩。

(3)當(dāng)O2/SF6配比值大于1時，蝕刻速率下降。因O2大量增加，解離的F原子與O2發(fā)生碰撞并形成OF，降低F原子濃度，而導(dǎo)致蝕刻速率的降低。由此中可知，當(dāng)添加O2后，O2/SF6的流量比值=0.2~0.8之間，可得到最佳的蝕刻速率。

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